1N4448W
Document number: DS12002 Rev. 21 - 2
3 of 4
www.diodes.com
April 2014
? Diodes Incorporated
1N4448W
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
0.10
1.0
10.0
0.01
0.001
0
20
40 60 80
V , INSTANTANEOUS REVERSE VOLTAGE (V)R
Fig. 3 Typical Reverse Characteristics
T = 100CA
°
T = 0CA
°
T = 75CA
°
T = 50CA
°
T = 25CA
°
T = -30CA
°
I , INSTANTANEOUS REVERSE CURRENT (μA)
R
04162
3
5
V , DC REVERSE VOLTAGE (V)R
Fig. 4 Total Capacitance vs. Reverse Voltage
C
,
T
O
T
AL
C
A
P
A
C
I
T
AN
C
E (pF)
T
0
1
2
3
4
0468210
I , FORWARD CURRENT (mA)F
Fig. 5 Reverse Recovery Time vs. Forward Current
t,
R
EVE
R
SE
R
E
C
O
VE
R
Y
T
I
M
E (nS)
rr
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
SOD123
Dim Min Max
A
0.55 Typ
B
1.40 1.70
C
3.55 3.85
H
2.55 2.85
J
0.00 0.10
K
1.00 1.35
L
0.25 0.40
M
0.10 0.15
α
0 8°
All Dimensions in mm
K
L
M
C
H
B
A
相关PDF资料
1N4448WS-7-F DIODE SWITCH 75V 200MW SOD-323
1N4448WSF-7 DIODE 75V 250MA SOD323F
1N4448WS DIODE 75V 150MA SOD323F
1N4448WT DIODE 75V 200MA SOD523F
1N4454 DIODE HI CONDUCTANCE 50V DO-35
1N456ATR DIODE HI CONDUCTANCE 30V DO-35
1N457A DIODE HI CONDUCTANCE 70V DO-35
1N458A DIODE HI CONDUCTANCE 150V DO-35
相关代理商/技术参数
1N4448W-E3-08 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:DIODE, SMALL SIGNAL, 0.15A, 100V, SOD123, Diode Type:Small Signal, Forward Curre 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:DIODE, SMALL SIGNAL, 0.15A, 100V, SOD123, Diode Type:Small Signal, Forward Current If(AV):150mA, Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:100V, Forward Voltage VF Max:1V, Reverse Recovery Time trr Max:4ns, Operating Temperature Min:-55C
1N4448W-E3-18 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:DIODE, SMALL SIGNAL, 0.15A, 100V, SOD123, Diode Type:Small Signal, Forward Curre 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:DIODE, SMALL SIGNAL, 0.15A, 100V, SOD123, Diode Type:Small Signal, Forward Current If(AV):150mA, Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:100V, Forward Voltage VF Max:1V, Reverse Recovery Time trr Max:4ns, Operating Temperature Min:-55C
1N4448W-G3-08 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns
1N4448W-G3-18 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):75V 电流 - 平均整流(Io):150mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):720mV @ 5mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:10,000
1N4448W-HE3-08 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述: 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:1N4448W-HE3-08 - Cut TR (SOS) 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:SWITCHING DIODE GENPURP SOD123
1N4448W-HE3-18 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):75V 电流 - 平均整流(Io):150mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):720mV @ 5mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:10,000
1N4448WQ-7-F 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123 制造商:diodes incorporated 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):75V 电流 - 平均整流(Io):250mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25nA @ 20V 不同?Vr,F 时的电容:4pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1
1N4448WRH 制造商:TSC 制造商全称:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:400mW High Speed SMD Switching Diode